栅极
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- 2023年3月24日,美国科学家,企业家戈登·摩尔去世,享年94岁。至此,从肖克利博士手下出走的仙童“八叛徒”全部作古,属于他们的时代终结了,但他们带给人类的珍贵财富却令他们永垂不
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- 结构集成三维碳管栅极型高性能滤光电容器
文章出处:Fangming Han, Ou Qian, Guowen Meng, Dou Lin, Gan Chen, Shiping Zhang, Qijun Pan, Xiang Zhang, Xiaoguang Zhu, Bing
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- 绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体
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- 来源:内容来自「钜亨网」,谢谢。
日前,三星召开2018晶圆代工技术论坛,三星在席间不仅揭露了手上的7纳米投片进度,并且还揭露了3纳米制程技术的蓝图,崭露抢滩未来高效运算(high-per
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- 虽然在麒麟980发布会之前,不少人都猜测这款处理器将会由华为Mate 20系列首发,谁知却被荣耀Magic 2抢了先,率先曝光将采用这一处理器。不过,赵明在介绍荣耀Magic 2的时候并没有过
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- 来源 | Einfochips
1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺
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1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。
2、IGBT可以做很大功率,电流和电压
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