栅极
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- 2023年3月24日，美国科学家，企业家戈登·摩尔去世，享年94岁。至此，从肖克利博士手下出走的仙童“八叛徒”全部作古，属于他们的时代终结了，但他们带给人类的珍贵财富却令他们永垂不
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- 本文来自方正证券研究所2023年3月25日发布的报告《必易微：ACDC 快充鹊起，DCDC+AFE 破浪前行》，欲了解详细内容，请阅读报告原文，吴文吉S1220521120003联系人：万玮 18818021879事件：2
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- 短路耐受时间(tsc)对于功率半导体器件来说是一个比较重要的参数，这也是为什么它会成为目前SiC推广和应用中被多次提及的原因。从目前来看，SiC的短路能力相对于先进的Si基IGBT
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- 过去50年里，影响最深远的技术成就也许就是晶体管小型化的稳步推进，它们的集成密度越来越高、功耗越来越低。自从20多年前在英特尔开始职业生涯以来，我们就一直听到这样的警告：这
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- 点击蓝字 关注我们导 读本期主题：Gate Oxide and Threshold Voltage Instabilities in SiC Power MOSFETs报告作者：Dr Jose Ortiz Gonzalez*免责声明：本文由作者原创。文章内容
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- 本文由半导体产业纵横（ID:ICVIEWS）编译自semiengineering本文将解析使3D NAND、高级DRAM 和5nm SoC成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数
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- 点击蓝字关注我们互补金属氧化物半导体（CMOS）在过去十年中推动了现代计算机的进步。然而，硅基CMOS现在已经达到了摩尔定律的缩放极限，因此晶体管性能的进一步提高需要材料技术的
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- Pine 发自 凹非寺量子位 | 公众号 QbitAI微波炉成制作2纳米芯片的关键技术。没错，就是厨房里的那个微波炉。康奈尔大学的研究团队改进了家用微波炉，使用
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- 结构集成三维碳管栅极型高性能滤光电容器
文章出处：Fangming Han, Ou Qian, Guowen Meng, Dou Lin, Gan Chen, Shiping Zhang, Qijun Pan, Xiang Zhang, Xiaoguang Zhu, Bing
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- 绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体
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- 来源：内容来自「钜亨网」，谢谢。
日前，三星召开2018晶圆代工技术论坛，三星在席间不仅揭露了手上的7纳米投片进度，并且还揭露了3纳米制程技术的蓝图，崭露抢滩未来高效运算(high-per
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- 虽然在麒麟980发布会之前，不少人都猜测这款处理器将会由华为Mate 20系列首发，谁知却被荣耀Magic 2抢了先，率先曝光将采用这一处理器。不过，赵明在介绍荣耀Magic 2的时候并没有过
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- 来源 | Einfochips
1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺
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1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2、IGBT可以做很大功率，电流和电压
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- 我们经常在某手机发布会现场听到，“××处理器采用了最先进的10nm工艺制造”，那么究竟这个10nm代表着什么意思呢？纳米制程对于CPU、SoC而言到底多重要？又与晶体管、FinFET以及EU
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