按照惯例，高通会在每年下半年带来旗舰平台的更新迭代。去年11月中旬，高通推出了全新旗舰移动平台第二代骁龙8。 相较于以往的产品更新来看，这一新品发布时间提早了一些。不过，最近的消息显示，高通似乎还会再次提前旗舰芯片的迭代。博主@数码闲聊站 在近日回复网友提问“8G3真的会来这么快吗？”这一问题时表示“8G3比今年8G2还早一丢丢，不过新机排期都在Q4”。就爆料中提到的信息来看，高通可能会在今年更早一些推出新一代的骁龙8 Gen 3芯片。现在，随着时间的推进，最新消息中提到了新一代骁龙8 Gen 3芯片的具体规格信息。按照爆料中的说法，全新一代的骁龙8 Gen 3芯片相较于上一代将会带来大幅度的性能升级。其或基于台积电N4P 4nm工艺生产，采用1+4+3架构，配备3.70GHz频率的Cortex-X4 核心。与之对比，第二代骁龙8基于 4 纳米工艺制造，采用1+2+2+3 架构，拥有1个主频3.2GHz的超大核、4个主频的2.8GHz性能核、3个频率2.0GHz的能效核。结合来看，如果爆料中的信息准确，那么新一代的骁龙8 Gen 3芯片将会带来更进一步的性能升级。届时，搭载了该芯片的手机产品实际表现也令人期待。另外，除了全新的旗舰平台迭代外，还有消息显示高通将在接下来推出新一代的骁龙7芯片。结合爆料中提到的信息来看，新一代的骁龙7芯片应该也会在性能方面带来更进一步的升级。相关消息曾提到，新一代的骁龙7芯片将基于台积电4nm工艺制程，采用1+3+4三丛集架构，拥有1颗CPU主频2.95GHz的超大核、3颗2.5GHz的大核、4颗1.79GHz的小核，结合Adreno 730 GPU。不过，鉴于暂时还没有确切的官方消息出现，实际的产品规格如何还有待验证。