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来源：中国科学材料收集编辑：中国科学材料
二维（2D）材料正被广泛用于宽带响应光电探测器（PD）。然而，基于2D材料的宽带响应PD通常对红外波长的响应较差。近日，浙江大学徐明生教授和徐敬教授等人在Science
China Materials发表研究论文，报告了垂直PtSe2/超薄Al2O3/Ge PD在近红外照明下的优异光响应性能。
1) 直接硒化沉积在Al2O3/Ge上的Pt膜以形成PtSe2层。超薄Al2O3钝化层起到表面改性的作用，有效地削弱了光生载流子的复合。2) 在1550 nm的光照下，PtSe2/超薄Al2O3/Ge PD的工作面积为50 µm × 50 µm，并在零偏压下获得了4.09 A W-1、32.6/18.9 µs的大响应度和快速上升/下降时间。在-5 V的外加电压下，PtSe2/超薄Al2O3/Ge PD的响应度和响应速度分别高达38.18 A W-1和9.6/7.7 µs。此外，器件的工作面积对光响应特性有很大的影响。3) PtSe2/超薄Al2O3/Ge PD阵列在室温下显示出了优异的紫外、可见光和红外成像能力。PtSe2/超薄Al2O3/Ge异质结在设计具有优异近红外响应性能的新兴宽带光电子器件方面具有巨大的应用前景。Zhu Q., Chen Y., Zhu X., et al. High-performance
near-infrared PtSe2/n-Ge heterojunction photodetector with ultrathin
Al2O3 passivation interlayer. Sci. China Mater. (2023).https://doi.org/10.1007/s40843-022-2402-3