根源:内容综合自technews等媒体
以后半导体系体例程微缩到10纳米节点如下,包含开端采纳的7纳米制程,和将来5纳米、3纳米乃至2纳米制程,EUV极紫外光光刻技能已经成为不成或者缺的设置装备摆设。藉由EUV设置装备摆设导入,不只放慢消费服从、晋升良率,还能低落本钱,使不只晶圆代产业者主动导入,连DRAM影象体的消费厂商也思索引进。为了因应制程微缩的市场需要,全世界次要消费EUV设置装备摆设的厂商艾司摩尔(ASML)正主动开辟下一代EUV设置装备摆设,便是High-NA(高数值孔径)EUV 产物,估计多少年内就可以正式量产。
依据南韩媒体《ETNews》报道,High-NA的EUV设置装备摆设与今朝EUV设置装备摆设的最年夜差别点,正在于运用EUV 暴光时,透过晋升透镜剖析度,使剖析度(resolution)以及微影叠对于(overlay)才能比现行EUV零碎晋升70%,到达业界对于多少式芯片微缩(geometric chip scaling)的请求。ASML应用德国蔡司半导体营业部分的技能晋升透镜剖析度,就为了此目标,ASML 2016年正式收买德国蔡司半导体营业部分24.9%股权。
针对于下一代High-NA的EUV 产物,ASML以前也已经从3个次要客户获得4 台定单,并售出8台High-NA EUV产物的优先购置权。这些定单中,晶圆代工龙头台积电也是此中之一。2018年时,台积电就颁布发表添加3亿美圆本钱收入,为下一代EUV设置装备摆设的预支款,也便是已经预购新一代High-NA的EUV设置装备摆设。针对于新一代High-NA EUV设置装备摆设,ASML估计2025年正式量产。
新型号3400C将表态
正在客岁年末,ASML的副总裁Anthony Yen透露表现,他们曾经开端研发下一代光刻机3400C。他透露表现,正在他们公司看来,一旦现有的零碎抵达了极限,他们有须要去持续推进新一代产物的开展,进而推进芯片的微缩。
据引见,较之他们的客户三星、Intel以及台积电都在运用的3400系列,ASML 5000将会有更多的立异。Yen正在本周于旧金山进行的IEEE国内电子设置装备摆设集会上通知工程师,此中最有目共睹的是呆板数值孔径(numerical aperture)从如今的0.33添加到0.55 。数值孔径是无穷纲(dimensionless quantity)的数目,与光的聚焦水平无关。数值孔径越粗心味着辨别率越高。改动EUV呆板中的数值孔径将需求更年夜,更完满抛光的成像镜组。
EUV光是经过运用来自高功率二氧化碳激光器的双脉冲对准巨大锡滴而发生的。第一个脉冲将锡滴从头塑形成含糊的薄饼外形,如许第二个脉冲就会愈加弱小而且跟从它仅仅3微秒,它能够将锡爆炸成等离子体,并以13.5纳米的光映照。而后将光凑集,聚焦并从图案化的掩模上弹开,使患上图案将投射到硅晶圆上。
经过晋升功率,ASML曾经将每一小时能够处置的晶圆数目晋升了。功率越粗心味着晶圆能够更快地暴光。正在195瓦特的时分,他们每一小时能够处置125片晶圆; 功率正在2018年年终到达246 W以后,这个数字则离开了140片晶圆。该公司整年都正在对于客户呆板停止改革,以期到达更高的规范。
下一代呆板将需求更多的EUV瓦数。正在尝试室中,ASML已经破解410 W,但还没有到达芯片消费所需的,充足好的占空比(duty cycle)。更弱小的激光器将有所协助,但这能够会添加锡液滴的速率。正在明天的呆板中,锡滴每一秒被射出50,000次,但Yen标明,新产物的液滴发作器的运转速率或者将到达80,000赫兹。
与此同时,该公司在改良其3400系列的功用。新版本3400C将于2019年下半年公布,服从晋升到每一小时处置超越170片晶圆。但正在EUV开展进程中,最年夜的一个痛点就正在于极端高贵的MASK,这些MASK能够“坚持”锻造正在硅片上的图案。这类被称为薄膜的掩盖物,用于维护掩模免受杂散粒子的影响,汲取太多光芒。ASML透露表现,现有的薄膜能够传输83%的光。这就将产能吞吐量低落到每一小时116个晶圆。Yen说,他们的目的是将传输率进步到90%。ASML也在积极坚持呆板外部比如今更干净,如许客户能够随便运用不薄膜的MASK。
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