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华南理工大学吴松平课题组ACS AMI:CuSe2纳米立方体实现高效钠储存

日期: 来源:新型储能电池收集编辑:朱奇,续安鼎等


文 章 信 息

CuSe2纳米立方体实现高效钠储存

第一作者:朱奇,续安鼎

通讯作者:吴松平*

单位:华南理工大学


研 究 背 景

钠离子电池(SIB)由于其具有和锂离子电池相似的操作机制、丰富的储量和低廉的价格而受到越来越多的关注。然而,与Li+相比,Na+具有较大的离子半径和较重的摩尔质量,导致电极材料在充放电过程中体积膨胀严重,电化学脱/嵌钠反应动力学缓慢,从而导致钠离子电池的比容量低、循环稳定性差等问题。因此,开发出具有高比容量和长循环寿命的电极材料用于钠离子电池至关重要。

金属硒化物作为钠离子电池负极由于其具有较高的理论容量受到人们的广泛关注。与O/S相比,Se的电负性较弱且离子半径较大,金属硒化物中的金属-硒键的键能弱于金属-硫键,更有利于转化反应的进行。此外,与金属氧化物/硫化物相比,金属硒化物的电子电导率更高,更有利于电化学过程中电荷的快速传导。但是,金属硒化物作为钠离子电池负极时存在体积膨胀剧烈、聚硒化物溶解和动力学迟缓等问题,导致在脱钠过程中对钠的转化反应不完全和可逆性差。


文 章 简 介

鉴于此,华南理工大学吴松平课题组在国际知名期刊ACS Applied Materials & Interfaces上发表了题为“CuSe2 Nanocubes Enabling Efficient Sodium Storage”的研究文章。

本文通过有效的形貌调控成功合成了具有单晶结构的CuSe2纳米立方体(CuSe2 NCs)。作为SIBs阳极,CuSe2 NCs提供了几乎100%的初始库仑效率、出色的长周期循环性能以及前所未有的超高倍率性能。例如,在10 A g-1的电流密度下循环1700圈后,仍然具有380 mA h g-1的放电比容量;在50 A g-1的大电流密度下展现出344 mA h g-1的倍率性能。通过非原位X射线衍射(XRD)测试研究了嵌钠/脱钠过程中的物相转变,揭示了CuSe2在充放电过程的储钠机理。密度泛函理论(DFT)计算的结论表明,与对比样相比,CuSe2 NCs具有更低的迁移能垒,从而具有更加快速的离子扩散动力学。


本 文 要 点

要点一:两种不同晶型CuSe2的迁移能垒

为了解CuSe2材料的钠离子储存潜力,我们首先通过DFT计算了Na+在不同晶型CuSe2中的迁移能垒。结果表明,相较于正交晶型的CuSe2,立方晶型的CuSe2具有更低的迁移能垒,从而更有利于离子扩散。于是在接下来的研究中,我们有目标的合成立方晶型的CuSe2,并研究它作为钠离子电池负极的储钠性能。

图1:钠离子在(a)立方晶型CuSe2和(b)正交晶型CuSe2中的迁移路径以及(c)迁移能垒


要点二:CuSe2 NCs材料的合成与表征

本文通过有效的形貌调控和多元醇溶剂化学法合成了立方晶型且具有单晶结构的CuSe2纳米立方体(CuSe2 NCs),CuSe2 NCs的尺寸在150到300nm之间。

图2:CuSe2 NCs的(a)合成流程图;(b)XRD图谱;(c)拉曼图谱;(d)Cu 2p谱图和(e)Se 3d谱图


图3:CuSe2 NCs的(a-b)SEM图;(c)TEM图;(d)HRTEM图;(e)SAED图;(f-h)元素分布图


要点二:CuSe2 NCs的电化学性能

CuSe2 NCs展现了出色的长周期循环性能以及前所未有的超高倍率性能。在10 A g-1的电流密度下循环1700圈后,仍然具有380 mA h g-1的放电比容量;在50 A g-1的大电流密度下,CuSe2 NCs展现出344 mA h g-1的倍率性能。

图4:CuSe2 NCs的(a)CV图;(b)充放电曲线图;(c)500 mA g-1下的循环性能图;(d)不同电流密度下的倍率性能图;(e)与现有文献的倍率性能对比图;(f) 10 A g-1下的长周期循环性能图;(g)与现有文献的长周期循环性能对比图


要点四:CuSe2 NCs材料的动力学分析

通过赝电容分析研究了CuSe2 NCs的电荷储存机制,为扩散控制过程和赝电容行为共同控制且赝电容行为占主导地位,这很好解释了CuSe2 NCs材料具有优异倍率性能的原因。阻抗分析表明CuSe2 NCs具有更低的电荷转移阻抗Rct,GITT分析说明,CuSe2 NCs在放电态的平均钠离子扩散系数为3.08×10-10 cm2 s-1,充电态的平均钠离子扩散系数为6.26×10-10 cm2 s-1,从动力学层面解释了CuSe2 NCs具有优异循环稳定性和倍率性能的原因。

图5:CuSe2 NCs在10A g-1下循环50圈后:(a)不同扫速下的CV曲线;(b)Ini与Inv之间的线性关系图;(c)0.1 mV s-1扫速下的赝电容贡献图;(d)不同扫速下的赝电容贡献占比图;(e)CuSe2 NCs及其对比样Bulk CuSe2在10A g-1下循环50圈的阻抗图;(f)CuSe2 NCs在10A g-1下循环不同圈数的阻抗图;CuSe2 NCs电极的(g)恒电流滴定曲线;(h)放电过程和(i)充电过程中的钠离子扩散系数


要点五:CuSe2 NCs材料的储钠机理

通过非原位XRD技术,揭示了CuSe2 NCs的储钠机理,在第一圈的放电过程中,CuSe2嵌钠生成中间产物NaCuSe和少量的Na2Se,随着放电过程的继续,NaCuSe进一步嵌钠生成Na2Se和非晶态的Cu;充电过程中,Na2Se脱钠生成NaCuSe,随着进一步充电,NaCuSe脱钠生成了具有晶格缺陷的Cu2-xSe,这可能是因为电化学反应中少量Se元素的不完全转化。从第二圈开始是可逆的转化反应:Cu2-xSe↔NaCuSe↔Na2Se↔ Cu2-xSe。

图6:CuSe2 NCs在500mA g-1下循环(a)第一圈和(c)第二圈的充放电曲线;(b)第一圈和(d)第二圈的非原位XRD谱图;CuSe2 NCs在10A g-1下循环(e)1圈;(f)500圈和(g)1000圈的SEM图


文 章 链 接

CuSe2 Nanocubes Enabling Efficient Sodium Storage

https://doi.org/10.1021/acsami.2c20655


通 讯 作 者 简 介

吴松平简介:华南理工大学副教授,硕士生导师。研究方向为:单分散功能化纳米晶的环境友好合成策略;能源储存材料与转换材料;碳中和关键技术与评价等。先后承担/参与国家科技部国家重点研发计划、广东省粤港招标、广东省重大专项,广东省前沿与关技术创新重大专项、广东省产学研合作、教育部博士点基金,广州市对外合作项目多项。

以通讯作者身份在Angewandte Chemie International Edition,  Advanced Energy Materials,  Nano Energy,  Small,  Nanoscale,  Carbon,  Langmuir,  ACS applied materials & interface,  Chemelectrochem,  Journal of Materials Chemistry A,  Industrial & Engineering Chemistry Research,  Chemical Engineering Journal等国际著名学术期刊上发表论文100多篇。据SCI统计,总的引用次数2200余次,H-index =28。


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