两款产品IV1Q06040L1 ，IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~ 175°C 工作温度范围。

▌LLNL选择 SemiQ 的碳化硅器件用于粒子加速器项目

近日，劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）已选择SemiQ为正在进行的粒子加速器项目提供碳化硅二极管。SemiQ 开发了采用 SMC 封装的顶部可焊接 1200V 10A 碳化硅二极管，可承受 15 倍额定电流的连续高电流脉冲操作。二极管用作缓冲电路和能量放电电路；在具有高封装密度的单个脉冲发生器板上并联 60 个器件。该加速器将使X射线图像可用于证明未经核试验的现代化核弹头的安全性、安保性和有效性。

▌NI宣布已通过现金收购德国设备厂商SET GmbH

近日，美国自动测试及量测系统厂商NI（National Instruments，国家仪器）宣布已通过现金收购德国设备厂商SET GmbH，目标是缩短关键的高度差异化解决方案的上市时间，并加速半导体到运输供应链与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等电力电子材料的融合。值得一提的是，NI曾经在2020年通过战略性少数股权投资入股了SET，目的是帮助航空航天&国防公司解决飞涨的开发成本问题及整合相关的挑战。此次收购将扩大NI在汽车应用功率半导体可靠性系统方面的机会，这是一个高增长的投资领域。

▌百思特达半导体GaN外延片项目试生产

3月6日，据盘锦日报消息，辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2吋&4吋外延片处于试生产和产品认证阶段，正式投产后，可实现月生产2500片的产能。据介绍，百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目，该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品。2019年11月，百思特达氮化镓项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。

参考来源：行家说三代半、semiconductor-today、everythingpe等网络