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中恒微半导体完成新一轮融资,SiC模块持续发力

日期: 来源:芯TIP收集编辑:吴晰

近日,中恒微半导体官微透露,公司宣布完成了新一轮的融资,本轮融资由毅达资本、合肥创新投、合肥高投参与。

而去年6月,中恒微半导体就完成了由上市公司固德威投资的pre-A 轮融资。固德威长期专注于太阳能、储能等新能源电力电源设备的研发、生产和销售,现已研发并网及储能全线二十多个系列光伏逆变器产品,在光伏户用储能逆变器领域市场份额排名全球第一。


据了解,中恒微半导体成立于2018年,主要从事国产功率半导体(IGBT,SiC)模块研发、设计、制造与系统应用,2020年通过国家高新技术企业和IATF 16949质量管理体系认证(TUV),已建成并投产2条IGBT模块封装产线,年产能100万只,配备世界顶尖的功率半导体封装、测试设备及自动化制造解决方案。产品主要应用于新能源汽车、电机驱动、光伏逆变、工业变频、高频电源等行业。


去年9月,根据华境资环官网公示的《合肥中恒微半导体有限公司高功率IGBT、SiC模块设计与制造项目竣工环境保护验收监测报告》,该项目总投资3000万元,于2022年2月开工建设,同年6月主体工程建设完成并进入生产调试阶段;项目设计年产IGBT、SiC模块共50万只,现实际设计规模为20万只


而据中恒微半导体有限公司创始人 总经理 袁磊此前采访透露,在做好新能源汽车+工业应用双轮驱动的同时,中恒微继续发力于SiC(碳化硅)模块
Drive Z3-SiC模块


▲DriveZ3-SiC  内部图

▲DriveZ3  模型图

该模块采用全SiC 技术的三相全桥拓扑结构的车规级功率模块—Drive Z3-SiC_6H002D120T1P。具有1200 V阻断电压、导通电阻仅2mΩ,且适用于电动汽车牵引逆变器的纯SiC全桥模块。该功率模块采用车规级碳化硅沟槽栅MOSFET技术。与平面结构技术相比,沟槽栅结构可实现更高的单元密度,可以在较低的栅极氧化物场强下工作,适用于高功率密度和高性能的应用场景。


* 本文内容综合自中恒微半导体等网络
* 整理编辑:吴晰

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