国内功率半导体下游企业为确保自身供应链安全，对国产功率半导体产品的接受程度逐步提高，这也给国产功率半导体测试设备带来了良好的发展机遇。

深圳市华科智源科技有限公司，专注于功率器件测试系统自主研发制造，公司产品主要有功率半导体静态参数测试仪，动态参数测试系统，浪涌电流测试仪，雪崩能量测试仪，以及功率循环等可靠性测试设备，产品以高度集成化，智能化，高功率，超宽测试范围等优势，广泛应用于高校研究所，器件设计、制造封装厂商，以及新能源汽车、光伏、储能、充电、电网及轨道交通行业。

可测试5000V，1600A以下IGBT、Mosfet、二极管等功率器件，兼容Si基、SiC、GaN器件测试；包括耐压，漏电流，饱和压降，开启电压等参数，还可以测试器件BV特性曲线，输出曲线，转移曲线，以及曲线对比功能。可用于器件设计，器件研发选型，IQC检验以及可靠性前后电参数测试以及失效分析等领域。

1)   测试电压范围：0-±5000V

2)   测试电流范围：0-±1600A

3)   测试栅极电压范围：0-±100V

4)   电压分辨率：1mV

5)   电流分辨率：0.1nA

二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流，功率器件在工作时，有时要承受较大的冲击电流，为了检测器件承受浪涌电流的能力，可产生一个大的浪涌电流施加于被测器件上，从而检测被测器件是否能承受大浪涌电流的冲击。针对SiC器件，研制出10us浪涌电流测试仪，测试SiC器件在快速浪涌能力。

脉冲底部宽度：8.3和10mS，浪涌电流 1200A

SiC测试底宽：10us(上升时间1us以内)，浪涌电流3000A

可以进行单次浪涌，重复浪涌，以及递增测试直至器件击穿点；

实时监控器件VF值，计算器件在经过浪涌电流后的发热情况。

3000A10us方波浪涌波形

华科智源结电容测试仪，可以测试MOS管，IGBT，SiC器件的栅极电阻和栅极电容，包含Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反向电容，Rg等参数，可以单点测试，也可以扫描测试曲线,测试频率：1MHz ,测试电压范围：Vds 0~1200V。

功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法，被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试标准内的必测项目。与温度循环测试相比，功率循环是通过器件内部工作的芯片产生热量，使得器件达到既定的温度；而温度循环则是通过外部环境强制被测试器件达到测试温度。由于在功率循环测试中的被测试器件的发热部分集中在器件工作区域，其封装老化（aging）模式与正常工作下的器件相类似，故功率循环测试被认可为最接近于实际应用的功率器件可靠性测试而受到广泛的关注。

华科智源-功率循环老化设备主要是针对IGBT/SiC的封装可靠性行进行实验,通过控制实验条件再现IGBT封装的主要两种失效方式:键合线失效和焊料层老化。实验的关键是控制结温的波动范围以及最高温度,得到不同条件下的实验寿命,从而得到IGBT的寿命。试验线路及试验方法满足MIL-STD-750、GJB128、IEC60747-9及AEC-Q101相关标准要求。

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《中国功率碳化硅产业链采购指南（2023版）》

“一图看懂碳化硅产业链企业布局情况”

○ 衬底原料端企业（硅粉、碳粉、石墨毡等重要耗材）

○ 导电型衬底企业

○ 外延企业

○ 器件端（设计、IDM、代工、封测）

○ 模块（工业级、汽车级）

“全面掌握碳化硅产业链技术/市场知识”

○ 碳化硅产业链由浅到深的技术/市场科普

（包含衬底、外延、器件设计、晶圆制造、模块封装等方面）

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○ 产品形式：纸质发行（无电子版）

○ 产品尺寸：1170mm*840mm

○ 产品发行时间：预计2023年3月中旬上线

（上线两个工作周内快递配送）

○ 产品发行对象：

功率碳化硅产业链相关企业的技术、市场、采购、决策等人员以及功率碳化硅产业链配套企业的人员

○ 产品发行渠道：

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○ 产品助力品牌推广：

可提供产品独家冠名、品牌企业呈现、推荐企业展示服务（品牌推广位仅剩1席）

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实体产品预计2023年3月中旬上线