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​碳化硅器件应用制造项目落户徐州,预计2027年全面达产|​三代半·电报

日期: 来源:芯TIP收集编辑:

▌碳化硅器件应用制造项目落户徐州,预计2027年全面达产



3月20日,2023徐州(北京)投资洽谈会在北京举行。据悉,本次项目签约共计33个,协议投资总额达258.8亿元。其中,铜山区(徐州高新区)签约的项目共有10个,包括碳化硅器件应用制造项目等。


碳化硅器件应用制造项目,计划投资建设碳化硅模组模块产品制造基地,预计2027年全面达产,满产年产值达9亿元


▌Yes Power Technics 在釜山新工厂开始量产

SiC 功率半导体产能翻了三倍



近日,据韩媒报道,并入SK子公司的Yes Power Technics大大扩大了SiC(碳化硅)功率半导体的生产能力。据了解,在釜山新工厂完成扩建和设备引进后,6英寸(150毫米)产品从本月开始正式量产


根据SK Holdings 21日提交的业务报告,Yes Power Technics本月开始在釜山新建的SiC功率半导体工厂进行量产。此前在浦项拥有100mm和150mm SiC功率半导体量产设施,但在2021年底为扩大产能,推动将设施转移至釜山Technopark功率半导体商业化中心。随后,4层楼扩建完成,本月开始量产150mm SiC功率半导体。


通过此次扩产,Yes Power Technics 的 SiC 功率半导体产能扩大了约三倍。现有 Yes Power Technics 的生产能力为 10,000 片/年(按 150mm 转换计算)。以150mm为基准,新厂的产能达到29,000片/年。同时,Yes Power Technics引进了高性能离子注入机和高分辨率曝光设备,以提高芯片性能。


SK集团也持续投入SiC市场,看好其承诺。去年年中,SK控股斥资1240亿韩元收购了韩国唯一一家拥有SiC功率半导体设计和生产技术的公司Yes Power Technics。当时,SK控股表示此次收购的目的是“加速推进高增长、高利润的SiC功率半导体业务”。


SK计划促进子公司之间协同效应的产生,以加速Yes Power Technics的发展。同集团的子公司SK Siltron从去年底开始正式量产150mm SiC晶圆,目标是今年SiC晶圆业务的销售额较上年增长一倍以上。Yes Power Technics计划加强在各个领域的合作,例如从SK Siltron供应SiC晶圆并共同开展研发。


▌Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs



近日, Qorvo®宣布,将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术,其高性能具体表现在:750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品,其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景,如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。有助于帮助客户减小体积尺寸,提高功率密度。


▌汽车/工业用 900 V GaN反激式开关 IC



Power Integrations 宣布其 InnoSwitch3™ 系列反激式开关 IC 的 900 V 氮化镓 (GaN) 扩展。新 IC 采用专有的 PowiGaN™ 技术,可提供高达 100 W 的功率和超过 93% 的效率,无需散热器并简化空间受限应用的设计。InnoSwitch3 设计还提供出色的轻负载效率,使其成为在低功耗睡眠模式下为电动汽车提供辅助电源的理想选择。符合 AEC-Q100 标准的 InnoSwitch3-AQ 系列特别适用于基于 400 V 总线系统的电动汽车,其中 900 V PowiGaN 开关提供更大的功率和更高的设计余量——12 V 电池更换系统所需——具有更高的效率 在基于硅的转换器。


▌安大物质科学与信息技术研究院在GaN器件领域取得新进展


高灵敏度氮化镓测温器件及其性能示意图


近日,安大物质科学与信息技术研究院唐曦教授与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授团队研发了高灵敏度氮化镓测温器件,并以论文“On-Chip Integrated High-Sensitivity Temperature Sensor Based on p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure”发表在电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》。2021级材料科学与工程专业硕士研究生尹玉莲与实验师常杰为本文共同第一作者,安徽大学为第一通讯单位。


基于目前主流的GaN芯片,本研究首次研发了具有双极性载流子注入功能的测温器件,将GaN温度探测的灵敏度提高到19.7 mV/℃,居世界最高。该项技术适用于芯片结温的高精度测量及过温保护。另外,该项技术在实验环境下完成了模拟车载/机载高温环境安全运行10年的加速老化测试,下一阶段将进入真实运行环境的测试,其产业化应用也正在开展之中。该工作得到了国家自然科学基金、安徽省创新人才项目和安徽大学启动经费的支持。


▌中北大学获批启动“第三代半导体专精特新产业学院”建设


近日,中北大学获批启动“专精特新产业学院”建设工作,建设方向为“第三代半导体”。据介绍,中北大学“专精特新产业学院”由中北大学半导体与物理学院牵头,联合中科潞安紫外光电科技有限公司以及山西省半导体产业技术创新战略联盟承建。


该产业学院建设将面向国家半导体战略发展,立足山西省半导体产业集群发展人才急需,充分发挥中北大学在半导体领域人才培养方面的学科和平台基础,联合该省第三代半导体优势企业,探索校企协同与深度融合的体制机制,打造专精特新产教融合“1+3+1”的创新发展格局;将重点建立集人才培养/培训、课程建设、技术研发、科技创新、产业服务、资源共享、产品中试、成果转化于一体的创新平台,提升对山西省半导体产业的人才供给和技术服务能力。


参考来源:Thelec、eenewseurope、铜山发布、Qorvo®、集微网等

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