1.【专利解密】天德钰针对半压架构电路提出稳压控制方案 有效降低耗电用量
2.亿道信息：公司已掌握专利技术246项，软件著作权188项
3.8英寸！西安邮电大学第四代半导体氧化镓研究取得新进展
4.南大光电：正在抓紧ArF光刻胶产品验证工作
1.【专利解密】天德钰针对半压架构电路提出稳压控制方案 有效降低耗电用量【爱集微点评】天德钰提出的高低压电路用稳压电路及其控制方案，通过切换电路控制负压产生电路与半压架构电路的通断，将半压架构电路的负电源端在接地与负压产生电路之间切换。因为半压架构电路的负电源端的电压切换，半压架构电路就有足够的电压来解决开启电压变大的问题，且负压产生电路产生的负压不需太低，避免造成过多耗电。集微网消息，已知应用高低电压稳压电路的产品，例如电子货架标签、电子纸等，其电位分为正电位(VPOS)与负电位(VNEG)，且正电位和负电位是对称变化，电压范围分别是+7V～+22V与‑7V～‑22V。在成本考量下，普遍制程的MOS晶体管并没有双阱可使用，在现有的技术上就会局限电路的设计难度。目前，高低电压稳压电路大致可分为全压架构和半压架构。由于电路正负电压差距大，会造成全压架构耗电、面积较大与设计上困难，元件的选择上也需特別规格。在半压架构中，稳压电路中的运算放大器包括低压N型晶体管，以及做为保护作用的高压N型晶体管。由于系统需操作在+‑7V～+‑22V，其中VNEG是晶片基底的最低电位，HV NMOS的本体是接至VNEG，受到了体效应影响，会使得HV NMOS的开启电压变大。故在VPOS电压较低的操作时，HV NMOS的栅极与源极之间的跨压可能不足以克服变大的开启电压，导致电路无法正常操作。虽然半压架构的电路正负电压差距缩小，可优化全压架构的缺点，但在较低电压操作时，半压架构会因为晶体管的栅极与源极之间的跨压不足而导致电路无法正常操作。为此，天德钰在2022年4月19日申请了一项名为“一种高低压电路用稳压电路及其控制方法”的发明专利（申请号：202210412099.0），申请人为深圳天德钰科技股份有限公司。根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。如上图，为该专利中公开的高低压电路用LDO稳压电路的模块结构示意图，该高低压电路用稳压电路，包括半压架构电路10、与半压架构电路连接的切换电路20，以及与切换电路连接的负压产生电路30。
半压架构电路包括运算放大器11、驱动晶体管12、以及回授分压电阻13。运算放大器包括正向输入端、反向输入端、驱动输出端、正电源端、负电源端、以及晶片基底端。驱动晶体管包括栅极、源极和漏极。切换电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端以及控制端。该高低压电路用稳压电路，通过切换电路控制负压产生电路与半压架构电路的通断，将半压架构电路的负电源端在接地与负压产生电路之间切换。因为半压架构电路的负电源端的电压切换，因此能解决晶体管的开启电压变大的问题。具体来说，当稳压电路的工作电压小于一预设阈值时，借助该方案中的电压切换操作，可使运算放大器的高压N型晶体管的栅极与源极之间的跨压变大，也可使运算放大器的高压N型晶体管的源极与本体之间的跨压变小。因此能克服开启电压变大的问题。其次，负压产生电路产生的负压不需太低，避免造成过多耗电。如上图，为上述高低压电路用LDO稳压电路的电路结构示意图，高低压电路用稳压电路还包括电压侦测电路40，电压侦测电路连接至正电位且连接至切换电路的控制端，电压侦测电路用于侦测正电位并控制切换电路的切换操作。其中，当判断正电位小于预设阈值时，将切换电路的第一输出端切换为连接至第二输入端。当判断正电位大于等于预设阈值时，将切换电路的第一输出端切换为连接至第一输入端。
在该方案中，运算放大器包括低压N型晶体管、以及与低压N型晶体管连接的高压N型晶体管。其中，低压N型晶体管的本体连接至运算放大器的负电源端，且高压N型晶体管的本体连接至运算放大器的晶片基底端。如上图，为上述高低压电路用LDO稳压电路的控制方法的流程图。首先，设定系统中电压侦测电路的预设阈值。其次，施加正电位、负电位、以及参考电位至高低压电路用稳压电路。最后，根据正电位的电压位准，控制切换电路的切换操作。其中，当判断正电位小于预设阈值时，将切换电路的第一输出端切换为连接至第二输入端；当判断正电位大于等于预设阈值时，将切换电路的第一输出端切换为连接至第一输入端。
以上就是天德钰提出的高低压电路用稳压电路及其控制方案，该方案通过切换电路控制负压产生电路与半压架构电路的通断，将半压架构电路的负电源端在接地与负压产生电路之间切换。因为半压架构电路的负电源端的电压切换，半压架构电路就有足够的电压来解决开启电压变大的问题，且负压产生电路产生的负压不需太低，避免造成过多耗电。“爱集微知识产权”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务。依托爱集微在ICT领域的长期积累，围绕半导体及其智能应用领域，在高价值专利培育、投融资知识产权尽职调查、上市知识产权辅导、竞争对手情报策略、专利风险预警和防控、专利价值评估和资产盘点、贯标和专利大赛辅导等业务上具有突出实力。在全球知识产权申请、挖掘布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设等方面拥有丰富的经验。我们的愿景是成为“ICT领域卓越的知识产权战略合作伙伴”。2.亿道信息：公司已掌握专利技术246项，软件著作权188项集微网消息，近日，有投资者在投资者互动平台提问：在几个主流的股吧里有一批个人投资者评价公司是一个生产外壳的组装厂技术含量低，没有护城河，对此公司有何看法?亿道信息(001314.SZ)3月14日在投资者互动平台表示，这些言论显然不是事实，对亿道了解的不够深刻。我们欢迎投资者通过提前约访来公司实地探访，亲自了解一下公司的技术及发展情况。公司是一家专业从事笔记本电脑、平板电脑及智能硬件等电子设备的定义、研发、设计、生产和销售的综合终端产品方案服务商，以终端硬件为研发重点；亿道信息至今已掌握专利技术246项，软件著作权188项。同时荣获英特尔2022最佳创新产品奖、高通2021优秀XR终端方案提供商奖、2022年飞腾卓越智能制造解决方案奖。相信这些全球和国内顶级芯片公司不会给一个生产外壳的组装厂颁发这些创新技术的最佳奖项的。截至22年3季度，公司研发人员占总员工人数4成以上，是销售人员的2倍。公司的研发团队专业水平过硬，常年与国内外知名企业交流合作，已经服务千家客户，对上游核心器件技术演变路径理解透彻，从而实现对国产化产品定义与设计的持续创新与信息安全。因此，亿道信息最大的核心价值在于产品定义与研发能力。同时公司在5G/AIoT/AI/VR/AR/泛智能终端/新型显示/云终端产品都有业务涉及，VR/AR/泛智能终端产品均可规模出货，赢得了世界各国、各地区众多当地品牌客户的认可，优质客户的数量不断增加。一个生产外壳的组装厂也不需要这么多研发工程师，也覆盖不了这么多科技领域。截至发稿，亿道信息市值为62.25亿 元，股价为44.32元/股，较前一日收盘价下跌2.53%。
3.8英寸！西安邮电大学第四代半导体氧化镓研究取得新进展集微网消息 近日，西安邮电大学电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。西安邮电大学官方消息显示，这一成果标志着学校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。新型半导体器件与材料重点实验室聘请中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士为首席科学家，团队师生共30余人，拥有完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间，主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件。团队在氧化镓材料生长、器件制备、测试表征等方面具有丰富的科研经验。集微网消息，近日，有投资者在投资者互动平台提问：请问老师，光刻胶28nm部分验证时间这么长，请问贵司有没有浪费时间?
南大光电(300346.SZ)3月14日在投资者互动平台表示，公司正在抓紧ArF光刻胶的产品验证工作。截至发稿，南大光电市值为194.26亿 元，股价为35.73元/股，较前一日收盘价上涨2.94%。更多新闻请点击进入爱集微小程序 阅读
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