半导体光电技术是电子信息技术的关键基础分支，也是由半导体技术、微电子技术、光子技术等多学科交叉而产生的新技术，在信息化和智能化时代，发挥着至关重要的作用，成为各发达国家竞相发展的热点。2014年美国总统奥巴马在“美国制造日”上宣布光子集成技术为国家战略，2018年我国工信部颁布《中国光电子器件产业技术发展路线图》将光芯片国产化上升为国家战略。光芯片与器件技术是光电产业的重要支撑，与发达国家相比，我国在这方面的基础依然薄弱，总体呈现出市场大、技术弱的不均衡产业状态。高端光芯片与器件发展的相对落后，已成为制约我国光电子产业乃至整个信息产业发展的瓶颈，甚至严重影响国家信息安全。

陈少强教授2005年于华东师范大学微电子学专业硕士毕业后，获得日本政府奖学金，赴日本筑波大学留学，从事化合物半导体材料分子束外延生长以及光电器件方面的研究，2008年获得国家优秀自费留学生奖学金，2009年获得筑波大学电子物理工学专业博士学位，并获得优秀博士毕业生称号。博士毕业后一直在日本东京大学物性研究所担任特任研究员，期间获得日本学术振兴会海外特别研究员奖学金资助，从事高速半导体激光芯片与激光器、高效率太阳能电池片等方面的科研工作。2012年获得日本丸文研究交流助成奖。2013年入选上海高校特聘教授(东方学者)，以及国家海外高层次人才计划青年项目，2014年起受聘为华东师范大学紫江优秀青年研究员，2016年9月起担任华东师范大学电子工程系主任，2018年受聘为上海激光学会理事兼青年委员会主任，2020年12月至2021年5月担任日本东京大学特任教授，2022年起担任华东师范大学精密光谱国家重点实验室副主任，至今已发表SCI收录论文100多篇，申请国家发明专利38项。曾获得中国光学科技奖一等奖（第一完成人）、中国发明创新奖二等奖（第一完成人）、第十届上海市青年科技英才、中国产学研合作创新个人奖、上海市科技进步二等奖（第一完成人）等多项重要科技奖励。

陈少强教授及其团队瞄准国家重大需求，依托华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室、纳光电教育部工程技术中心等科研基地,围绕高效率太阳能电池以及高端光芯片等“卡脖子”技术开展联合攻关研究，具备了高端光芯片的理论仿真、外延生长、微纳工艺、解理封装等完整的关键核心技术链条，创新了增益开关超快半导体激光器的理论模型，在国际上率先制备出可直接驱动超快光芯片的连续可调超带宽集成电路驱动芯片，研制出的直调型超快半导体激光器实现了4.7皮秒的世界最短脉宽激光脉冲。在高效率多结太阳能电池片方面，解决了常规多结太阳能电池检测技术中无法直接获取多结电池子结I-V与局部关键参数信息的瓶颈难题，开创了具有颠覆性意义的基于绝对值EL光谱和成像的太阳能电池自动化检测分析与设计技术，与江苏宜兴德融科技有限公司等知名企业合作进行产学研密切合作，实现了34.5%的轻质柔性砷化镓三结太阳能电池的世界最高效率，连续多年位列中国太阳能电池最高效率榜单之首。为国家高端光芯片与器件核心技术的国产化做出突出贡献。