EMMC芯片的制造商现在主要有KINGSTON（金士顿）、SAMSUNG（三星）、SANDISK（闪迪）、TOSHIBA（东芝）、美光、海力士。这些芯片的基本架构都相同，主要是厂家不同，价格也有点区别。2011年全球NAND Flash 产业排名 产商 三星 东芝 美光 海力士 英特尔 市场占有率 36.2% 35.1% 11.4% 10.7% 6.6%各大厂家芯片的控制器和NAND Sandisk iNAND 自己的Controller+自己的NAND Samsung moviNAND 自己的Controller+自己的NAND Hynix eNAND 用Phison的上一代控制器+自己的NAND Toshiba eMMC 自己的Controller+自己的NAND Micron eMMC 用Phison的上一代控制器+自己的NAND Kingston eMMC Phison的最新控制器+Toshiba的NAND

对于芯片的选择，主要从下面几个方面来决定：

1：e.MMC的存储容量大小

这是最基本的要求，因为选择存储器，首先考虑的就是存储的容量，如果存储的容量不能达到系统的要求，那所有的其它参数都没有任何意义。

2：芯片的存取速度

存储器的存取速度对应的也就是读写操作，存取时间越短，存取速度也就越快，这对于整个系统来说，是一个重要指标，它能缩短系统处理的时间。从给出的资料来看，对于2、4GB的容量，在8位、52MHz时钟频率下：

三星的速度为：连续读60MB/S，连续写10MB/S；

金士顿的速度为：连续读26 MB/S，连续写12MB/S；

闪迪的速度为：连续读20 MB/S，连续写9MB/S；

东芝的速度为：连续写10MB/S；

3：供电电压、功耗水平

芯片的供电电压、功耗，反应了芯片的能量消耗，可工作电压越低，电流越小，是最理想的器件，在e.MMC卡的规范中，都定义了电压范围，且厂家基本上都按照标准来做，故无需考虑电压，它都有一个行业标准。但根据具体的制造工艺，芯片正常工作时的电流会有所不同，故需要进行参考，标准规定一般为：读操作下最大电流90mA，写操作下最大电流70mA。

4：芯片生产的技术架构

根据芯片制造采用的具体技术，e.MMC存储器有三种类型的卡，分别为SLC、MLC、TLC卡，而这些不同的技术架构，也有不同的参数。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

MLC生产成本较低，容量大，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

5：封装形式、可操作环境

封装的的大小关系到电路PCB的布局，过大或过高等都会影响其在PCB板上的摆放位置，然而，e.MMC都有一个固定的封装格式，采用153、169球的BGA封装，同时芯片的引脚功能都基本相同，用户只需考虑采用多少的球体就可以了。对于操作环境，考验的是芯片能支持的环境应力，当操作环境过于苛刻时，会验证影响芯片的性能，导致整个系统功能失效，一般要求芯片能达到的操作环境为：温度-25℃-+85℃，湿度0%-95%；存储环境为：温度-40℃-+85℃，湿度0%-95%。