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来源：DIGITIMES收集编辑：三星
作者：DIGITIMES黄钦勇
相较于DRAM的积极投资，韩国双厂在NAND的投资反而保守。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态，三星必须积极投资，而海力士也必须力争上游。所以，各厂的投资都很积极，并往3D多层化的方向进展。
与DRAM产业同样的必须以良率在市场上竞争，加以十分耗电，因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND Flash，在10xnm阶段便遭遇技术压力，因此三星、东芝向3D发展。相较于2017年，三星的资本支出会少一点点，但比起往年仍是大幅成长，而海力士、美光则是积极回应。
另一方面，目前三星以64层NAND为主力，下半年会推进到96层。英特尔/美光也将在2018年上半进入96层的技术规格，2018年中，也会将3D的比重提高到85%以上。（待续）