不久前我国最大的芯片代工厂商中芯国际已向荷兰芯片设备制造商ASML订购了一套EUV极紫外光刻设备，未来用于生产7nm工艺芯片，价值1.20亿美元。

EUV极紫外光刻技术相对于传统的光刻技术具有极大的优势，是未来芯片技术发展的关键。UV光刻设备可以发射比现有设备小十五分之一波长的光，使其能够在芯片上蚀刻更精细的电路，被认为是未来10nm、7nm、5nm甚至3nm制程工艺芯片制造的核心技术。

包括英特尔、三星电子和台积电在内的所有全球顶级芯片巨头都在购买这种工具，以确保更强大、更先进芯片的后期生产。

而根据最新消息，不仅是中芯国际，长江存储也迎来了自己的第一台光刻机，意味着国产SSD固态硬盘再次取得重大突破。

据悉，这台光刻机同样来自荷兰ASML(把持着全球90％的光刻机市场)，193nm沉浸式设计，可生产14-20nm工艺的3D NAND闪存晶圆，售价达7200万美元，约合人民币4.6亿元。

目前，光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。

后续，长江存储还会引入更多光刻机。

此前据官方消息，长江存储科技有限责任公司（长江存储）是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业，公司成立于2016年7月。

2016年底，世界级的国家存储器基地项目(一期)一号生产和动力厂房在武汉正式开工建设，而此后的生产线进度十分快速：

2017年9月实现提前封顶；

2017年11月长江存储第一颗32层3D NAND芯片宣布研发成功，这是我国首颗拥有完全自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片，耗资10亿美元，由1000人团队历时2年自主研发，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片。

2018年2月进行厂内洁净室装修、消防等系统安装；

4月11日正式移入生产设备。

据悉，目前32层3D NAND芯片已经开始试产，不少产业链企业都拿到了样片测试，预计今年第四季度量产。或许用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘。

同时，据相关人士介绍，长江存储武汉基地募集的800亿金额已经全数到位，明年进入128Gb的3D NAND在64层技术的研发。一旦研发成功，那国内自主存储技术的脚步将更为坚定