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【IT168 手机讯】此前，有消息称苹果今年发布的 A12 处理器已经量产，并且采用了台积电 7nm 制程工艺，7nm 工艺将比 10nm 工艺在性能上提升 20%，与此同时在功耗上还能降低 40%，带来性能与效率的双重提升。三星也宣布了其 7nm LPP 工艺制程芯片将会在 2018 年下半年投入量产。

与此同时，在刚刚召开的 Samsung Foundry Forum ( 三星工艺论坛 ) 上，三星更是公布了三星在未来几年芯片的演进路线。宣布将进军 5nm、4nm 及 3nm 工艺，直逼物理的极限。其中，5nm LPE ( Low Power Early，低功耗早期 ) 工艺相较于 7nm LPP ( Low Power Plus，低功耗增强 ) ，会进一步缩小芯片核心面积，带来超低的功耗 ;4nm LPE/LPP 将会成为三星最后一次在芯片上使用 FinFET ( Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管 ) 技术，进一步压缩芯片面积 ;3nm GAAE/GAAP ( Gate All Around，环绕栅极 ) 则采用了全新的 MBCFET ( Multi Bridge Channel FET，多桥通道场效应管 ) 技术，需要对晶体管底层结构进行重新设计，克服当前技术的物理及性能屏障，增强栅极的控制能力，使得性能大大提升。

此前有人曾指出，3nm 芯片制程工艺将是摩尔定律的极限，这一定律在半导体行业已经被验证了近半个世纪，目前来看广义的摩尔定律仍然存在，也许在 3nm 之后，还会有 2nm 甚至是 1nm 工艺制程的出现。至于那时候半导体芯片行业将会如何发展 ? 科学技术将会发展到什么地步 ? 就只能在未来科技创新的路上寻求答案了。