先前，媒体曾报导，7nm制程工艺最逼近硅基半导体工艺的物理极限。后来，媒体又报导，7nm工艺并非半导体工艺的极限，后面还依次有5nm工艺、3nm工艺，且5nm工艺、3nm工艺并没有突破硅材料半导体工艺的极限。
当我们说工艺到了极限的时候，我们其实是在说在现有的结构、材料和设备下到了极限。然而每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。
材料方面，随着尺寸越来越小，半导体绝缘层变得越来越薄，随时有被电子击穿的危险，越来越不稳定，良品率也会越来越低，除非有新的材料应用，不然现在的工艺会很快就会走到尽头。
关键是硅基底的电子跃迁问题，在电压电流降低到一定程度接近掺杂的分子尺寸时，跃迁造成的弱电流干扰无法忽略，就产生极限。这需要基底材料上的革新。但基底材料太大变化会造成成品率的下降。所以，制程更新速度会大大降低。技术就是这样的。
现在的技术不是在不断发展，芯片的制造会越来越精致精细。芯片的制程在不断地缩小，这就说明芯片的面积在不断地变小。现在又要把CPU的面积做大，不是在增加成本，又再走回原来的路。所以不可能把CPU在做大。
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