记得以前有消息透露，长江储存主导的国产3DNAND闪存已经开始安装光刻机等设备，预计今年下半年开始量产，与NAND闪存相互比较，咱们国产的DRAM内存生产难度上肯定不如别人。

在2017年10月，兆易创新宣布花费180亿进军DARM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，也就是合肥长鑫的DARM项目，目标就是19nm工艺的DARM内存，原定将在2018年12月31日前研发成功，实现产品良率不低于百分之10，并逐步开始量产。

目前内存行业主流工艺，​刚刚突破20nm工艺不久，只有三星主力制程达到了18nm工艺，所以合肥长鑫的19nm还是有不错的竞争力的。只需要解决良品率问题。

在达到预期量产目标以后，月产能达到12.5万晶圆，占全球市场的百分之8。估计国产内存发力后，大家的福利就来了