国产闪存和内存芯片的同步突破

闪存和内存是存储芯片最大的两块肥肉。紫光旗下的长江存储的研发实力和资金实力无疑是最强的，长江存储目前正在啃最大的那块肥肉3D NAND闪存，其一期投资就高达240亿美元，在建3座全球单座最大的闪存生产工厂。长江存储在2018年4月已经实现小规模试产32层64G的3D NAND闪存芯片，而且长江存储的首台4.6亿元光刻机已经到达武汉，可用于生产14~20nm工艺的闪存芯片，可以说进展神速。

不过小编“科技思想家”今天要说的主角不是闪存芯片，而是内存芯片。闪存芯片投资太大，只适合紫光这种巨无霸。而国产内存芯片，目前有三强，分别是安徽的合肥长鑫、福建的晋华和武汉的长江存储。

合肥长鑫，一上来就是19纳米，技术最先进

国产内存芯片目前是3强争霸，长江存储因为主攻3D NAND闪存芯片，而DRAM内存芯片研发进度，相比合肥长鑫和福建晋华，长江存储相对要落后不少。

安徽合肥背靠中国科技大学等，人才优势明显，一上来就是生产19纳米的。合肥长鑫在2018年1月厂房完工，目前300多台核心设备已基本安装完毕，调试后，第4季度就可以试产8Gb DDR4，2019年下半年可以试产更先进的8Gb LPDDR4内存芯片。

19纳米内存芯片，只比三星差1纳米

内存芯片的制程比不了CPU芯片，制程提高难度比较大。全球DRAM内存芯片三大巨头，三星、美光和SK海力士。都已经有了20纳米的生产线，特别是号称宇宙最强的三星，已经有了18纳米制程的内存芯片。合肥长鑫的19纳米内存芯片，只比三星差1纳米，这个非常了不起了。

国产19纳米内存芯片的痛点

技术虽然很拉风，但成熟度还差较远。期望的良品率是90%，但现在还差很远，不到10%，估计还需要两年才能达到超90%良品率的目标。合肥长鑫计划在2021年能够生产17纳米的内存芯片。小编“科技思想家”觉得：合肥长鑫能在2到5年内超过美光和SK海力士，就已经是巨大胜利了。

福建晋华：32纳米内存芯片，够稳

合肥长鑫一期投资是72亿美元，达产后月量是12.5万片。相比之下，福建晋华投资要小不少，是53亿美元，月产6万片。而且福建晋华的研发和人才方面，没有合肥长鑫强大，技术主要靠台企联电去研发，感觉像是芯片代工，第一期生产的内存芯片，也只有32纳米制程。

福建晋华技术落后一些也有好处，那就是够稳。量产进度会比合肥长鑫快几个月，预计7月就能量产。而且32纳米制程内存芯片风险小，基本不用担心良品率。大规模量产的进度会比合肥长鑫块不少。

要想成为科技强国，做好做强芯片是躲不掉的。中国这几年，能同时出来3家实力强劲的科技企业去造内存芯片，确实很不容易。虽某些方面有较大差距，但这进步确实非常大，造芯片是很需要耐心的，小编也会继续用文字支持国产芯片的。