随着闪存市场价格逐渐稳定下来，人们的期待也开始从 " 不涨 " 慢慢往 " 降价 " 上转移；而想要价格降下来，那就一定要依靠技术和生产工艺的提升。三星日前已开始量产它们的第五代 3D NAND 闪存颗粒，层叠层数从 64 层加厚至 96 层，进一步提升存储密度的同时而不影响耐久和可靠性，更重要的是产能也能得到 30% 的提升。
三星的第五代 V-NAND 技术在性能方面其实也有不小的改进，它采用的 Toggle DDR 4.0 接口运行速率已经从上一代 3D NAND 的 800Mbps 提升到了 1.4Gbps，同时工作电压也从 1.8V 降低至 1.2V，可以抵消掉接口提速带来的能耗上升。此外读写延迟也有所下降，其读取延迟已压缩到 50 微秒，写入延迟降低 30% 达到 500 微秒。
关于这一代 3D NAND 的制程技术改进细节三星并没有透露多少，目前可知的是每个存储层的厚度已经削薄了 20%，以及文首处提及的 30% 产能提升。三星首批第五代 3D NAND 颗粒为 256Gb TLC，是消费市场和手机存储里常见的规格，对它来说优先考虑需求量大的市场是必然的选择，至于供应服务器和数据中心 SSD 的 1Tb QLC NAND 之后再说。
对我们这群普通消费者来讲，期待这批新颗粒应该就是三星下一代 SSD 产品的事情了。
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