东芝3DXL-FLash首次亮相96层QLC闪存明年量产

【PConline资讯】在前不久的闪存峰会中,东芝宣布BiCS3的64层堆叠提升到96层BiCS4(第四代BiCS3D闪存)研发工作已经基本完成,全新的BiCS4QLC闪存将从明年开始量产。

全新的BiCS4QLC闪存单芯片的容量可以做到1.33TB,采用U.2规格的模组可以实现85TB,采用M.222110规格可以做到20TB。耐用性方面,这款产品的P/E也从理论上的1000次提升至1500次,为传统TLC的一半。

另外,在峰会期间东芝还重磅推出了3DXL-Flash闪存,这是一种快速读取SLC闪存类型,使用较短的位线(bitlines)和字线(wordlines)来构建闪存芯片,早期3DXL-Flash将使用SLC颗粒,之后将可能会采用MLC颗粒。与TLC闪存相比,读取延迟减少了10倍。与QLC的30μs编程时间相比,XL-Flash的编程时间为7μs更加具有速度优势。而在成本方面,3DXL-Flash闪存与英特尔基于3DX-point的Optane相比,虽然性能相当但拥有更好的性价比。

东芝表示,会将3DXL-Flash闪存与QLC闪存结合使用,这种组合可以通过减小内部连接的距离来获得更快的速度,比DRAM-HDD组合更快,将主要用于企业和数据中心。

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