【PConline资讯】在前不久的闪存峰会中，东芝宣布BiCS3的64层堆叠提升到96层BiCS4(第四代BiCS3D闪存)研发工作已经基本完成，全新的BiCS4QLC闪存将从明年开始量产。
全新的BiCS4QLC闪存单芯片的容量可以做到1.33TB，采用U.2规格的模组可以实现85TB，采用M.222110规格可以做到20TB。耐用性方面，这款产品的P/E也从理论上的1000次提升至1500次，为传统TLC的一半。
另外，在峰会期间东芝还重磅推出了3DXL-Flash闪存，这是一种快速读取SLC闪存类型，使用较短的位线(bitlines)和字线(wordlines)来构建闪存芯片，早期3DXL-Flash将使用SLC颗粒，之后将可能会采用MLC颗粒。与TLC闪存相比，读取延迟减少了10倍。与QLC的30μs编程时间相比，XL-Flash的编程时间为7μs更加具有速度优势。而在成本方面，3DXL-Flash闪存与英特尔基于3DX-point的Optane相比，虽然性能相当但拥有更好的性价比。
东芝表示，会将3DXL-Flash闪存与QLC闪存结合使用，这种组合可以通过减小内部连接的距离来获得更快的速度，比DRAM-HDD组合更快，将主要用于企业和数据中心。
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