近年来，我国社会科技创新意识明显增强，技术立国、科技强国观念深入人心，国家整体科技研发投入明显加大。一大批重要关键技术获得突破，带动了国家经济的快速发展，国家整体实力和国人自信心显著增强。中国光刻机领域研发获重大突破

ASML光刻机

前不久，一支清华团队宣布，他们成功研制出了光刻机双工件台，这一重大突破，让中国一举成为世界第二，双工件台之前日本都没有研究出来，目前也只有荷兰才有。双工件台简单来说，就是生产芯片的流水线，拥有了双工件台，生产芯片的速度是普通单工件台的3倍甚至更多。

中芯国际中芯国际14纳米FinFET技术开发获得重大进展

中芯国际联席首席执行官赵海军博士和梁孟松博士表示，中芯处于蓄势过渡时期。在推进技术，建立平台和构筑合作关系上已看见令人鼓舞的初步进展。中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，中芯国际28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量，良率达到业界水平。长江存储推出全新3D NAND架构: XtackingTM

2018年8月7日，长江存储公开发布其突破性技术——XtackingTM。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

长江存储推出全新3D NAND架构: XtackingTM

长江存储CEO杨士宁博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。中国第4代核武器取得重大突破

据报道，最近中国在第4代核武器领域取得了重大突破，离实战化部署又近一步。专家介绍，第4代核武器爆炸后几乎不会产生污染。据悉，第四代核武器采用全新的设计，体量更小，威力却增加了许多。爆炸后不会造成很严重的后期影响，比如辐射污染都会很快消散。中国在第4代核武器上走的是与美国截然不同的道路，美国走的是金属氢，而中国走的是金属氮。

核爆

对于上述我国在关键领域取得的突破，有网友表示：强国不是空喊口号，是脚踏实地干出来的，是研发出来的。确实如此，现在科技实力已成为一国综合实力的关键所在，经济实力、武器装备均与科技实力密切相关。可以预期，随着我国各领域研发投入的不断加大，未来我们还将取得更多的突破。