众所周知目前在存储领域,基本上都是美国和韩国垄断,比如三星、海士力,镁光,金士顿,但中国又是内存需求大国,毕竟全球50%的手机品牌是中国的,全球80%的手机中国制造,全球50%的PC也是中国造。
所以中国这些年以来一直就在大力发展自己的内存,但事实上真要说起来,国产内存起码落后三星3代,因为目前长江存储还在量产32层堆叠的NAND,这是第二代,而三星前不久已经量产96层堆叠、单碟 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。
可见从整个工艺技术来看,中国内存落后三代即5年左右的差距,如果按照正常步骤去追,要追上三星这5年的差距,还真的特别麻烦,于是国产内存另辟捷径,即通过新技术来对内存进行改良。
因为我们知道所谓的内存新技术,都是奔着三个方向走,一是速度更快,二是容量更高,三是成本更低。而长江存储前不久在美国举办的闪存峰会上公布了一项技术,一瞬间吸引了全场的目光。
这项技术就是叫做Xtacking,能够极大的提高内存的速度,比如目前常规内存的速度理论上是1.4Gbps,而大多数的供应商也就做到1.0Gbps的水平。而使用这项技术之后,能够将内存提高至3.0Gbps的水准。
并且这项技术在32层堆叠工艺术的内存上即可实现,不需要超高工艺,即目前长沙存储及国产内存的水平即可使用这一技术了,当然在最新的第5代内存工艺上也能够使用。
如果按照这个速度来看,这项技术整体拉近了国产内存与三星等企业的差距至少一代以上,因为把速度极大的提高了,同时成本并没有提高,可以说是真正的“吓人的技术”了,甚至可以说Xtacking带来的将是NAND行业的颠覆性改变!
只希望这个技术不是纸上谈兵,希望长沙存储早日使用上这个技术,应用到产品中来,让国产内存真正打破美日的垄断,那才是真的厉害和值得骄傲,
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