众所周知目前在存储领域，基本上都是美国和韩国垄断，比如三星、海士力，镁光，金士顿，但中国又是内存需求大国，毕竟全球50%的手机品牌是中国的，全球80%的手机中国制造，全球50%的PC也是中国造。

所以中国这些年以来一直就在大力发展自己的内存，但事实上真要说起来，国产内存起码落后三星3代，因为目前长江存储还在量产32层堆叠的NAND，这是第二代，而三星前不久已经量产96层堆叠、单碟 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。

可见从整个工艺技术来看，中国内存落后三代即5年左右的差距，如果按照正常步骤去追，要追上三星这5年的差距，还真的特别麻烦，于是国产内存另辟捷径，即通过新技术来对内存进行改良。

因为我们知道所谓的内存新技术，都是奔着三个方向走，一是速度更快，二是容量更高，三是成本更低。而长江存储前不久在美国举办的闪存峰会上公布了一项技术，一瞬间吸引了全场的目光。

这项技术就是叫做Xtacking，能够极大的提高内存的速度，比如目前常规内存的速度理论上是1.4Gbps，而大多数的供应商也就做到1.0Gbps的水平。而使用这项技术之后，能够将内存提高至3.0Gbps的水准。

并且这项技术在32层堆叠工艺术的内存上即可实现，不需要超高工艺，即目前长沙存储及国产内存的水平即可使用这一技术了，当然在最新的第5代内存工艺上也能够使用。

如果按照这个速度来看，这项技术整体拉近了国产内存与三星等企业的差距至少一代以上，因为把速度极大的提高了，同时成本并没有提高，可以说是真正的“吓人的技术”了，甚至可以说Xtacking带来的将是NAND行业的颠覆性改变！

只希望这个技术不是纸上谈兵，希望长沙存储早日使用上这个技术，应用到产品中来，让国产内存真正打破美日的垄断，那才是真的厉害和值得骄傲，