在美国圣何塞举办的三星技术日活动上，三星公开分享了固态硬盘技术路线图，除了96层堆叠3D TLC闪存之外，QLC闪存也被提上了日程。此外，一大批新型号固态硬盘名称得到确认。

TLC闪存更新96层堆叠

同其他几家闪存原厂一样，三星正在推动96层堆叠技术在3D闪存当中的应用。被称为第五代V-NAND的三星96层堆叠TLC闪存的容量相比现在的64层技术没有增长，但是芯片体积缩小，工作电压降低，带来成本与功耗方面的进步。

更新96层3D TLC闪存后的三星固态硬盘型号将发生小小的变化，比如现在的PM981和970Evo变为PM981a和970Evo Plus。

单芯片BGA封装、无外置缓存的NVMe固态硬盘PM971a将被PM991取代，顺序和随机写入性能提升1倍、顺序读取速度提高50%（约2200MB/s，相比PM981要慢）。

高端企业级产品方面，闪存之外的主控芯片也将得到升级，三星PM1733在PCIe 4.0下顺序读取速度最高可达8GB/s。目前PCIe 4.0在家用PC领域还没有眉目，所以大家也只能靠想象了。

QLC闪存引入新系列

三星企业与OEM固态硬盘使用MLC闪存的型号以SM开头，使用TLC闪存的型号以PM开头，未来QLC闪存固态硬盘当中将以"BM"开头。首批宣布的QLC闪存固态硬盘包含四个型号：BM1733、BM9A3、BM1653（SAS）和BM991（OEM NVMe）。

零售消费级产品方面，三星公开了860QVO（SATA）和980QVO（NVMe）两个QLC闪存型号，对应现在TLC闪存的860EVO和970EVO。三星尚未公开具体的性能指标，PCEVA认为EVO和QVO系列应该会在一段时间内共存，形成高低搭配的形态。

至于MLC闪存的970Pro，它可能不会有继任者了：三星企业级Z-NAND闪存已经准备推出MLC类型。大家有没有感觉到TLC已经高端化了？好消息是QLC闪存应该能在明年推动512GB固态硬盘的普及。