有人敢玩阴的。

突然惊起千层浪！

SK Hynx海力士公司最近宣布了96层512G bit的4D NAND出台，还说是2018年底将实现量产。

厉害！一下子将Samsung、Intel、Micron、WD/Toshiba们甩出了半条街。居然敢玩阴滴，突然惊起业界千层浪！

SK Hynx新4D NAND采用了电荷捕获型（Charge Trap Flash，CTF）的闪存技术，首创电荷捕获型CTF技术与Peri Under Cell(PUC)技术结合，让产品的性能与容量优于72层3D NAND Flash，目标2018年底前量产。

哈哈哈，SK Hynix宣称的4D NAND Flash，本质上仍是3D NAND Flash，命名4D只是强化商业营销的一种手段。

CTF技术可减少记忆单元(cell)间的干扰，解决2D NAND使用浮栅(Floating Gate,FG)技术遭遇的限制。PUC本是Peri排线技术，可以缩小产品本身的体积，自然就实现了节省生产成本的目的。

因此，SK Hynix的4D NAND Flash这个产品体积比72层512Gb 3D NAND Flash芯片缩小30%。记住，银家还是96层堆叠的滴哦！每片晶圆产能提高1.5倍，同时可处理讯量提高到64KB。

当然了，SK海力士的想法还是很猛的！SK不仅期待96层3D NAND Flash能在企业用SSD市场提高产品竞争力，并且还希望持续研发推出采用相同技术的128层3D NAND Flash。

于是，SK海力士向全世界爱好闪存技术的人们宣告了：结合PUC与CTF的新技术将是新一代NAND Flash事业的里程碑。等到2018年底首批量产后，M15工厂也会加入生产，回应更多客户需求。

针对，M15工厂这里可以多说几句，因为它对于SK Hynx海力士有着重要的战略意义。其实，M15半导体工厂就是在上个月的10月4日，在韩国忠清北道清州才刚刚开始启用，并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash。一旦M15加入到了新的产能扩张中，势必可以巩固SK Hynx海力士位于全球第二大存储器制造商的地位。但是，SK Hynx海力士NAND Flash全球市场排名却是第五。

来自SK Hynx在2018年第2季度财报数据显示，其营业利润达到了5.6万亿韩元，相当于50.01亿美元，相比2017年同期的3.1万亿韩元增长了83%。同时营收高达10.4万亿韩元，相当于92.95亿美元，实现年增长55%，可谓是创SK Hynx的营收和利润纪录了。其中闪存产品类型的销售量占比，DRAM占80%，NAND Flash占18%。

可见，从占比来看，未来SK Hynx必将努力扭转NAND Flash占比较少的不利局面，要知道三星的DRAM和NAND Flash占比为60%和40%。

可见，足见M15工厂对于SK Hynx的NAND Flash战略的重要意义，是多么的巨大。

SK Hynx的新4D NAND采用了CTF设计，就像Samsung和WD/Toshiba的闪存产品一样。打个比方，NAND盖楼，越盖越高，没有最高只有更高，居然还有SK Hynx强扩“宅基地”的！CTF这条技术路线还是很特别的，不往高层盖楼，开始扩展“宅基地”，提升栅极替换工艺的水平，值得一赞。哈哈哈，幸好不是搞强拆！

从SK Hynix对外公布的介绍信息来看，从存储性能、存储效率、芯片大小等方面，新4D NAND采用了CTF设计相比浮栅FG技术都有着更多的优势。

不过，对于SK Hynix来说，他们已经使用了电荷捕获型（CTF）技术设计好几年了，所以它不是新的技术采用，并且目前Micron和Intel是唯一两个使用浮栅FG技术的闪存制造商。

但是，很有意思的是：英特尔（Intel）和美光（Micron）计划在下一代闪存产品上市后，双方将分道扬镳地走自己的闪存技术路线，即便双方在IM Flash Technologies这个合资公司上还会有着千丝万缕的联系。之后美光将使用自己的栅极替换工艺Replacement-gate技术，业内专家指出，这也是Charge Trap Flash（CTF）技术设计。

与此同时，更有意思的是，三星的Gate-last工艺也包含了栅极替换工艺Replacement-gate的技术。嘻嘻。在闪存技术发展路线上，可谓“你中有我，我中有你”了。

别误会，上面这个图说的是Samsung的Gate-last工艺。

换句话说，英特尔将很快成为唯一使用浮栅型（floating-gate）NAND闪存技术的制造商。嘎嘎嘎！怎么英特尔一下子就孤单了起来呢？

此外，SK Hynx计划发布采用新的96层4D NAND技术的其他产品，其路线图已经十分明确了。

注意SK Hynx这些产品计划，包括了：

2018年将要推出1TB客户端SSD，它将使用SK公司自己的控制器和固件。

2019年下半年推出企业SSD,采用4D NAND技术96层的1TB QLC SSD。

2019年上半年推出针对移动市场的UFS 3.0存储产品，同时还有采用4D NAND技术96层的1TB TLC SSD，针对BGA封装的将出现最大2TB的产品，针对U.2 eSSD的路线上将出现最大64TB的产品。

因此，在2019年，SK Hynx 将发布“超高密度”的96层1TB TLC SSD和96层1TB QLC SSD新品，十分值得期待一下。

由此可见，之前我们看到三星在3D NAND盖楼上略胜业界一筹，没有想到，SK Hynx能很快出台采用了CTF设计的4D NAND，在营销上，SK Hynx这次完胜所有对手。

那么，下一波3D NAND争霸擂台赛，谁又将胜出呢？还会是SK Hynx，抑或是Samsung、Intel、Micron、WD/Toshiba……

我十分期待2019年全球3D NAND闪存市场好戏连连。（Aming）

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