11 月 12 日消息，SK Hynix（SK 海力士）宣布研发完成基于 1Ynm 工艺的 8Gb（1GB）容量 DDR4 DRAM 芯片。
该芯片最高支持 3200Mbps，即 3200MHz 频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。
技术指标方面，相较于 1Xnm，1Ynm 芯片的生产率提高了 20%，功耗降低了 15%。
SK 海力士还表示，新的 1Ynm 芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低。
官方称，1Ynm DDR4 DRAM 芯片将于明年一季度出货，率先用于服务器和 PC 产品上，最后向手机等领域推广。
科普：
在存储芯片从 20+nm 进入 10+nm 工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm 之后是 1x nm 工艺，再往后则是 1y nm 工艺，还有 1z nm 工艺的说法，至于 XYZ 具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。
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