海力士近日宣布研发完成了1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量的DDR4颗粒，1Ynm工艺要优于1Xnm，代表着更高的存储密度。技术指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产率提高了20%，功耗降低了15%。
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该颗粒可支持3200MHz等效频率，并且据官方称1Ynm芯片显著提高了传感器精准度，调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低。
该颗粒制作的内存产品会在明年第一季度出货，用于服务器与PC市场，后续会覆盖手机等领域。
