海力士近日宣布研发完成了1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量的DDR4颗粒,1Ynm工艺要优于1Xnm,代表着更高的存储密度。技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生产率提高了20%,功耗降低了15%。
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该颗粒可支持3200MHz等效频率,并且据官方称1Ynm芯片显著提高了传感器精准度,调整了晶体管结构,使得数据传输的出错率降低。
该颗粒制作的内存产品会在明年第一季度出货,用于服务器与PC市场,后续会覆盖手机等领域。