2017年，三星电子率先宣布量产第二代10nm(1ynm)DRAM，美光也计划在明年正式量产1ynm制程DRAM产品。不过，作为全球第二大DRAM存储器厂商，目前SK海力士也在DRAM制程研发上面迎来了最新进展。

图片来源：SK海力士官网

据国外媒体11月12日报道，SK海力士宣布已成功开发出新一代1ynm制程工艺的8GbDDR4DRAM内存，其效能与省电方面均有明显改善。

与第一代产品1xnm制程相比，第二代1ynm制程的生产效率可提高约20%，耗电量降低15%，数据传输速率则可稳定在3200Mbps，而这是目前DDR4标准支持的最大速度。

SK海力士宣称，8GbDDR4DRAM采用四象时脉（four-phaseclocking）技术，可使信号传输速度加倍。除此之外，SK海力士还同时改善电晶体结构，以降低资料传输的错误率。

根据SK海力士的规划，1ynm工艺的DDR4DRAM内存预计会在明年第一季度开始出货，首先面向服务器及PC产品，接下来还会有针对移动设备等产品的1ynm工艺内存芯片。

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