中国光刻大突破，10纳米芯片打破美国产权壁垒，厉害了！
在今年4月份，中兴集团被美国政府制裁，很多中国用户也发现了中国在科技领域的一大缺陷则是芯片技术。首先，在芯片技术的研制方面，光刻机作为相当重要的一项核心科技，一直以来被西方技术所垄断。也正是因为光刻机技术的垄断，才让中国在芯片领域一直以来无法进一步取得成就。但即便如此，中国的相关科学人员仍然在找寻其他的办法，来研制出最新最具高性能的光刻技术。
在11月29日，中国科学院宣布了最新的突破。相关研究人员已经造出了光刻纳米技术的世界纪录，并且这一突破打破了传统的研究方法，在光刻机的相关技术上开辟了新的途径。如今的研究人员表示，已经开发出了能够双曝光技术，生产的十纳米芯片光刻设备，并且这些测试达到了22纳米的世界纪录。
这一设备是由中国科学院的光学与电子相关研究所的研究人员共同开发出来的。并且，内部科学家表示，这一项目是为开发高分辨率以及大纳米的光刻设备来开辟了新的研究方向，从而超越了国外的相关知识产权。光刻设备，一直以来都是芯片领域必不可少的一个环节。曾经的中国受制于其他的国家，但是如今的中国在该领域开始崛起，光刻分辨率能够提高芯片的集成度，但是传统的光刻技术却没有办法提高分辨率。
由此也能看出，这一项新的突破，对于中国芯片领域举足轻重。现如今，这一种光学光刻设备已经在上海的航天技术研究所，以及中国电子科技大学等多所高校的项目中被证明是完全有效的。不知道大家对于中国研究出的这一种光刻机有何看法？欢迎评论。
| 留言与评论（共有 0 条评论） |
