继 2018 德国慕尼黑电子展大放异彩，英飞凌近日在深圳也面向中国市场，正式发布了氮化镓（GaN）解决方案—— CoolGaN ™ 600 V 增强型 HEMT 和氮化镓开关管专用驱动 IC（GaNEiceDRIVER ™ IC）。这也使得英飞凌是市场上唯一一家，能提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的全系列功率产品的公司。

英飞凌大中华区副总裁潘大伟介绍到，CoolGaN 是打开高效能源之门的钥匙。CoolGaN 非常适合高压下运行更高频率的开关，它可以将整个系统的成本降低，可以做到更轻薄设计、功率密度扩展，使转换效率大大地提高，这是 CoolGaN 最大的好处。

随后，英飞凌科技奥地利股份有限公司电源管理与多元化事业部资深市场营销经理邓巍，进一步阐述了英飞凌 CoolGaN 技术的优势。

成熟耐用：CoolGaN 600 V 增强型 HEMT

最新发布的 CoolGaN 600 V 增强型 HEMT 采用可靠的常闭概念，它经专门优化，可实现快速开通和关断。它们可在开关模式电源（SMPS）中实现高能效和高功率密度，其优值系数（FOM）在当前市场上的所有 600 V 器件中首屈一指。CoolGaN 开关的栅极电荷极低，且具有极少输出电容，可在反向导通状态下提供优异的动态性能，进而大幅提高工作频率，从而通过缩小被动元器件的总体尺寸，提高功率密度。英飞凌 CoolGaN 600 V 增强型 HEMT 在功率因数校正（PFC）变流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC 能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可达到 160 W / in3（3.6 kW LLC 能效> 98％）。在谐振拓扑中，CoolGaN 线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

放眼市场，CoolGaN 拥有行业领先的可靠性。在质量控制过程中，我们不仅对器件本身进行全面测试，而且对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了 CoolGaN 开关满足甚至优于最高质量标准。

完备的解决方案：氮化镓开关管专用驱动 IC

英飞凌新推出的氮化镓开关管驱动芯片 EiceDRIVERIC —— 1EDF5673K、1EDF5673F 和 1EDS5663H ——是 CoolGaN 增强型 HEMT 的完美搭档。它们经专门研发，以确保 CoolGaN 开关实现强健且高效的运行，同时最大限度地减少工程师研发工作量，加快将产品推向市场。

不同于传统功率 MOSFET 的栅极驱动 IC，这个针对英飞凌 CoolGaN 量身定制的栅极驱动 IC 可提供负输出电压，以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内，GaNEiceDRIVER IC 可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响，哪怕是首脉冲，这对于 SMPS 实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动 IC 可实现恒定的 GaN HEMT 开关转换速率，几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效，大大缩短研发周期。它集成了电隔离，可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在 SMPS 一次侧和二次侧之间提供保护，并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。

GaNEiceDRIVER 1EDF5673K 采用 13 引脚 LGA 5x5 mm 封装，1EDF5673F 采用 16 引脚 DSO 150 mil 封装，1EDS5663H 采用 16 引脚 DSO 300 mil 封装。

掌握未来的氮化镓

尽管硅还是目前半导体的关键元素，但氮化镓的发展无疑变得越来越迅速和成熟，英飞凌认为未来基于氮化镓的器件市场总值有望超过 10 亿美元。从市场的分布来说，电源类产品大概占到整个市场的 40% 左右。在汽车类的应用可能起步得比较晚，但是它的成长非常快，特别后面几年，汽车关于氮化镓的应用是一个非常大的应用。

除了技术的发展与需求，整个人类社会和工业对更环保高效，更节省成本的材料自然也是喜闻乐见。为此英飞凌抢先在全球布局，相信能在未来的技术转型中会显得更加主动。