根据英特尔的说法，新的制造技术进步可以首次将3D堆叠带到CPU和图形芯片等微处理器上。使用该公司新的Foveros工艺制造的第一批设备将于2019年下半年到货。

​英特尔在芯片制造方面的最新进展专注于将硅片封装在一起，以创建精简，节能的PC。

周三，该公司推出了一项名为“Foveros”的新制造技术，该技术通过将微处理器制造在彼此之上来改进PC内部的内部技术。

不再需要将所有硅片布置在平板上; 通过将芯片制造带到第三维并在堆叠中将一个处理器布置在另一个处理器上，可以节省空间。

3D芯片封装技术已经被用于将存储芯片集中在一起。但英特尔表示，其最新的制造技术进步可首次将3D堆叠技术应用于CPU，图形芯片和AI处理器等微处理器。

芯片堆叠不仅可以节省空间，还可以降低功耗。一个处理器不再需要通过电路板上的长铜线与另一个处理器通信; 相反，处理器可以相互叠加，减少通信距离。

英特尔在一份声明中告诉PCMag，“它将在一个小巧的外形中实现世界级性能和功效的结合。”

使用该公司新的Foveros工艺制造的第一批设备将于2019年下半年到货。其中的产品将是一台采用该公司即将推出的10纳米制造工艺的芯片，并与另一款低功耗微处理器相结合。采用英特尔的22纳米技术。

为什么英特尔之前没有使用过这种技术？好吧，在另一个芯片上堆叠芯片比看起来更难。处理器会产生热量，因此不小心将它们包装在一起会导致硅熔化。

在不引入制造缺陷的情况下创建堆栈也是另一个挑战。尽管芯片封装在技术上一直是可行的，但该技术需要进行改进，以便能够以大规模市场规模生产3D堆叠芯片。

英特尔似乎破解了代码。三维芯片堆叠进步如下另一家公司努力通过英特尔的嵌入式多芯片互连桥分装一台PC的胆量 （EMIB）技术。英特尔利用这一进步，在其下一代计算机生产线上创造了一台功能强大但重量仅为2.5磅的小型机器，被称为哈迪斯峡谷。

到目前为止，英特尔还没有评论新的Foveros制造技术是否会有任何限制。还不清楚微处理器可以堆叠多少级别。但作为一个例子，英特尔称PC制造商将能够使用Foveros在晶圆上铺设SRAM存储芯片和电源传输电路，然后将其他高性能芯片置于其上。

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