HBM高带宽内存走向与传统内存相当不同，后者依旧以提升I/O传输时脉作为增加访问带宽的手段，HBM则是以更宽的总线平行处理，单一堆栈采用1024bit，如今JEDEC发布更新版JESD235B，同步提升容量与速度。

HBM（HighBandwidthMemory）高带宽内存对于计算机用户是个既熟悉又陌生的名词，在显卡领域仅有少数高端版本采用，却又对AI深度学习、高性能运算、网络等需要高带宽、低功耗的应用环境提供不可或缺的性能表现。一般消费市场，最早由AMDRadeonR9Fury/R9Nano显卡搭载HBM，由于HBM采用interposer与GPU封装在同一基板（SiPs，system-in-packages），省去在电路板的内存布线，因此能够做出如RadeonR9Nano长度不到160mm的身材。

HBM单一堆栈采用1024bit总线宽度，以8个128bit独立信道所组成，可以堆栈2～8个内存晶粒，每个晶粒通过TSV（ThroughSiliconVia）相互链接。每个晶粒可以提供2Gb容量，单一pin脚运行时脉为500MHz，通过DDR技术完成2倍等效带宽1Gbps，单一HBM堆栈即可完成128GB/s访问带宽。

HBM通过interposer与其它具备内存控制器的晶粒相互链接，再封装至基板。（图片取自AMD）

第二代HBM单一堆栈总线宽度依旧是1024bit，由8个128bit信道所组成，但引进相当重要的PseudoChannelmode，能够将128bit拆成64bit+64bit方式运行，这2个64bit信道共享命令信道，但内部bank与I/O数据信道则是相互分离，借此完成各自独立运行，能够减少访问延迟。此时也借由制程技术微缩，单一内存晶粒容量达到8Gb，单一pin脚等效带宽拉高至1.6Gbps～2Gbps。

近日JEDEC再次针对HBM规范JESD235文件进行更新，JESD235BHBM单一堆栈总线还是1024bit，但堆栈数量由2、4、8层再往上加入4层达12层，单一内存晶粒容量顺势推升至16Gb，代表单一堆栈最大即可拥有24GB容量。单一pin脚时脉如今采用1200MHz，通过DDR技术完成2.4Gbps等效带宽。