大家都买过U盘 内存卡 硬盘,可能也发现有的读取速度慢,可是不知道为什么,今天小编带大家了解下。
SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型,三者区别如下:
1、SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC的3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。
2、MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命。
3、TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。
闪存与硬盘相比所具备的优点:
1、闪存的体积小。闪存的集成度比硬盘高,硬盘做的这么大一块主要原因,就是硬盘不能做的小过闪存,相比较闪存来说,硬盘的集成度不高。
2、相对于硬盘来说闪存结构不怕震,更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动,虽然我们使用的时候可以很小心,但老虎也有打盹的时候,不怕一万就怕万一。
3、闪存可以提供更快的数据读取速度,硬盘则受到转速的限制。
4、闪存存储数据更加安全,硬盘的写入是靠磁性来写入,闪存则采用电压,数据不会因为时间而消除。
SLC/MLC/TLC的区别:就是一份晶体管资源,存放单份数据、双份数据、还是三分数据的区别。
三者成本:4:2:1。
三者寿命:100:10:1。
三者写入速度:4:2:1。
三者写入延迟:1:2:4。
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC?
MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势:
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点:
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
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