大家都买过U盘 内存卡 硬盘，可能也发现有的读取速度慢，可是不知道为什么，今天小编带大家了解下。

SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型，三者区别如下：

1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

闪存与硬盘相比所具备的优点：

1、闪存的体积小。闪存的集成度比硬盘高，硬盘做的这么大一块主要原因，就是硬盘不能做的小过闪存，相比较闪存来说，硬盘的集成度不高。

2、相对于硬盘来说闪存结构不怕震，更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动，虽然我们使用的时候可以很小心，但老虎也有打盹的时候，不怕一万就怕万一。

3、闪存可以提供更快的数据读取速度，硬盘则受到转速的限制。

4、闪存存储数据更加安全，硬盘的写入是靠磁性来写入，闪存则采用电压，数据不会因为时间而消除。

SLC/MLC/TLC的区别：就是一份晶体管资源，存放单份数据、双份数据、还是三分数据的区别。

三者成本：4：2：1。

三者寿命：100：10：1。

三者写入速度：4：2：1。

三者写入延迟：1：2：4。

TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

什么是SLC？

SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。

SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

什么是MLC？

MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。

英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating

Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

与SLC比较MLC的优势：

签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。

与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。

与SLC比较MLC的缺点：

MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。

其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。

再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。