近日，三星电子宣布，自家的 eMRAM ( 嵌入式磁阻内存 ) 已经进入商业化量产阶段。

MRAM 是一种非易失性存储技术，与传统的 RAM 将电荷状态用做记录数据不同，其原理是利用磁体间的磁化电阻状态（巨磁阻效应）来记录数据。该技术最早是由摩托罗拉在 1995 年开始尝试研发，在 2000 年时，IBM 和英飞凌也都曾尝试研发，但最终都没有投入商用。

从存储效果来看，由于不需要像 NAND Flash 一样进行擦除循环操作，MRAM 无论是在写入速率、容量密度、能耗还是使用寿命方面，都要远优于市面上的固态硬盘。再加上 DRAM 内存和 NAND Flash 固态目前都在工艺制程上遭遇了瓶颈，所以 MRAM 也一直被视为是两者的潜在替代者。

根据目前三星电子公布的消息来看，三星所研制的是 eMRAM 技术，也就是嵌入式的磁阻内存。eMRAM 相当于是多了一道工序的 MRAM，主要可被应用在可穿戴设备、物联网设备中。已有成熟 eFlash 产线的三星，此次则直接将 28nm FD-SOI 工艺挪用到了 eMRAM 中，并实现了量产。

近一年间，DRAM 内存和 NAND 闪存都开始出现严重供大于求的情况，其中 NAND 的市场均价跌幅甚至超过了 50%。所以三星方面积极在存储领域继续寻求新技术，以维持业务利润也在情理之中。

不过按照计划，三星只会在今年内流片容量为 128MB 的 eMRAM 存储，所以距离能够真正应用在消费级市场，依然很遥远。

其实，除了 MRAM 这个方向，在非易失性存储技术商用方面，Intel 要领先于三星。目前，Intel 已经先后和美光科技联手研制出了 PCM（相变化存储器）技术，和升级版的 3D XPoint 技术。其中，3D XPoint 技术已经成功化身 Optane（傲腾存储）投入商用。

Optane 与 eMRAM 存储一样，可以作为内存使用、也可作为硬盘使用，目前市面上的 Optane 容量为 16GB~512GB 不等，主要面向企业级服务器市场。

就在今年 2 月，来自外媒的一则消息还显示，Intel 也已经准备好将自家的 MRAM 投入量产，但并没有提及具体的流片时间节点和容量大小。