国产内存迎来机会,MRAM内存生产仅需28nm工艺,速度是闪存千倍

众所周知,相比于国产CPU,国产内存的形势其实是更严峻的,毕竟在国产CPU方面,手机领域有华为麒麟,展讯等,而国产内存呢?除了台湾几家厂商,大陆可以说是内存颗粒都造不出来,更多的还是进口芯片颗粒,然后封装起来。

而国内也是花巨资建了三大内存基地,长江存储,合肥长鑫,以及福建晋华,其中福建晋华因为被老美封锁,台联电退出,已经前景堪忧,长江存储、合肥长鑫目前也并没有真正量产内存出来。

国产内存迎来机会,MRAM内存生产仅需28nm工艺,速度是闪存千倍

至于为什么内存这么难产,除了技术之外,工艺也是问题,毕竟国内的芯片制造工艺也落后,目前中芯国际连14nm工艺都不能量产,三星的内存是采用10nm工艺造出来的。

但现在随着一种新的内存技术出现,或许国产内存迎来了新机会,那就是MRAM内存,这种内存综合了DRAM和NAND技术的内存,写入数度千倍于NAND闪存,更重要的是断电后还不会丢失数据,可以取代之前的DRAM和NAND。

国产内存迎来机会,MRAM内存生产仅需28nm工艺,速度是闪存千倍

很多网友很奇怪,说新技术,向来不是国产的强项,为何说这项技术就将是国产内存的机会?很简单,因为这种内存对工艺要求并不高,不要追过制造工艺的极端。

目前三星宣布已采用28nm工艺量产成功了,三星用的是28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)工艺。

而我们知道英特尔早前也宣布,已准备好大规模量产MRAM内存了,可见这些巨头们已经在积极布局这种新内存了。

国产内存迎来机会,MRAM内存生产仅需28nm工艺,速度是闪存千倍

所以说,对于国产内存来讲,这就是机会了,一是工艺要求不高,国内的技术就可以生产,二是大家都是刚起步,也许三星、英特尔进展更快,但至少不像现在的DRAM和NAND闪存,落后太远。

当然目前国内的内存厂有没有在研究这种内存,暂时还没有消息,希望国产内存能够抓住这次机会,你觉得呢?​​​

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