你可以说，新兴内存最近的成功很大程度上要归功于Intel。

Yole Group的发现，NAND flash和DRAM仍主导着独立内存领域，在2021年占整个市场的96.7%，总收入约161美元，较上年增长33%。NOR flash、SRAM、FRAM（ferro-electric）和E2PROM（electrically erasable programmable read-only memory）几乎占据了剩余的全部。以PCM（phase-change memory）、MRAM（magnetoresistive random access memory）和ReRAM（resistive random-access memory）形式出现的NVM（nonvolatile memory）仅占独立内存市场的0.4%。

但在这块小蛋糕中，PCM仅以Intel的Optane技术的形式出现，NVM是由Intel和Micron在2015年7月联合推出的3D Xpoint。据Yole的报告，Micron自此退出了该市场，Intel成为唯一为持久存储和低延迟内存市场提供产品的公司。

2021年，PCM技术占独立新兴NVM收入的88%，持久存储和低延迟存储类内存占市场规模的90.3%。Yole内存领域的技术和市场分析师Diego Alfaro表示，Optane是目前市面上唯一可用的PCM技术，在这一领域占据主导地位。“在嵌入式市场中，新兴的NVM有很多机会。独立存储市场仍将取决于PCM技术的发展。”

Yole对3D Xpoint的形式的PCM预测基于几个假设。其中，基于PCM的存储类内存技术及其相关产品、生态系统和应用将继续以相对缓慢的速度发展。另一个关键的假设是，Intel仍将是3D XPoint商业化的唯一玩家，其Optane产品的市场渗透率在未来两年内不会有显著的变化。

事实上，Intel本身可能是Optane形式的PCM无法迅速扩大市场份额的原因。Yole报告指出，因为Intel正在拖延独立增加3D XPoint制造的决定，而等待主要数据中心公司承诺使用持久内存。同时，Optane产品的平均密度在2024年之前不太可能发生变化，因为他们将继续使用第二代3D XPoint介质。

任何试图取代现有内存的新兴内存的一个障碍是定价。无论创新或性能如何，它都需要在价格上有竞争力。Yole认为3D XPoint每千兆的售价至少要比DRAM低50%，否则，客户将继续选择DRAM和NAND。Alfaro说：“PCM是目前唯一能够填补这两种现有技术之间差距的技术。”

进入CXL

那么，独立的PCM，Optane或其他技术需要什么才能取得成功呢？Yole相信，CXL（Compute Express Link）协议（尤其是未来两年内CXL 2.0接口的部署）将成为独立PCM销售“真正起飞”的催化剂。

CXL跨标准PCI Express（PCIe）运行，提供一种新的低延迟互连，以支持需要更高效的资源共享和分解内存池的异构计算和分解应用。Micron在2021年初宣布将退出3D Xpoint市场，其中包括承诺为CXL开发解决方案，但该公司后续尚未发布任何具体的产品公告。

Yole的高级技术和市场分析师Simone Bertolazzi认为，Micron的谨慎做法包括等待开发存储级内存技术等机会。

近年来，联合开发的3D Xpoint一直主导着PCM技术的发展，但Bertolazzi表示，目前的PCM技术是许多公司数十年努力的结晶，其中一些公司已经不复存在或被其他公司吞并。Bertolazzi说：“甚至在20世纪60年代，就有PCM原型的记录。”

Yole报告指出，IBM研发实验室在PCM方面有丰富的经验，包括在2012-2015年期间与SK Hynix合作，加速PCM的商业化。这项工作产生了两个原型：一个是1Gb、42nm的阵列，一个是32Gb、25nm的芯片。SK Hynix重组了研发部门，并成立了“创新技术中心”，以确保其竞争地位，该集团有很高比例的员工致力于PCM技术，包括3D垂直交叉点技术。与此同时，IBM自2008年以来一直与Macronix合作进行PCM开发。

在PCM领域，另一家值得关注的公司是Samsung。Yole指出，Samsung在2010年推出了首款PCM，不过这款产品在其产品目录中停留的时间并不长。Samsung在2011年推出了58nm、1Gb PCM阵列，然后在2012年推出了20nm、8Gb PCM，提供40MB/s的程序带宽。

Yole认为，SK Hynix和Samsung有可能在未来三年内加入英特尔独立的PCM业务，充分利用他们的研发力量，但这将取决于整体市场的采用情况，以及主要由CXL 2.0部署驱动的持久存储和低延迟存储驱动的生态系统发展。

Bertolazzi说这些只是Yole公司的估计，因为这些公司还没有和研究公司分享他们的计划。他说：“时间表还不清楚。考虑到CXL是一个公共接口，多个玩家可以开始进入该领域。”

Alfaro表示，如果未来几年又有一家PCM公司进入这个市场，那将是一个“游戏规则改变者”。

尽管新兴的独立NVM比现有的技术增长更快，但到2027年，它在整个独立存储器市场的占比仍将低于1%。Bertolazzi表示，如果像ReRAM和MRAM这样的NVM类别想要真正起飞，它们将需要拥有自己的Intel，后者在CPU市场的主导地位使其在NVM领域拥有优势。“他们的定位非常好，能够引领这种持久存储技术的引入。”

他补充说，从密度的角度来看，今天的ReRAM不如3D Xpoint，而MRAM在数据中心有很多竞争。考虑到它们的密度，这些技术的价格相当高。他说：“由于这种价格和密度定位，短期内我们看不到开始填补NAND和DRAM之间差距的机会。”

Bertolazzi表示，包括ReRAM、MRAM和FRAM在内的新兴内存可以从3D架构中受益，而一些公司，如ReRAM制造商Weebit Nano，正在推进他们的技术发展。

Bertolazzi补充说，嵌入式技术与独立内存领域的情况可能大不相同，但总的来说，引入新技术带来的是机遇和挑战。特别是在半导体行业，成熟的技术和平台很难被取代。

他说：“如果你想取代别人的位置，关键是要有价格竞争力。”

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