化学掺杂Chemical doping，可用于控制二維范德华材料中的电荷载流子极性和浓度。然而，基于替位捧杂或表面功能化的常规方法，由于结构无序而导致电迁移率的降低，并且最大掺杂密度由掺杂剂的溶解极限设定。
近日，美国加利福尼亚大学（University of California）Costas P. Grigoropoulos团队Yoonsoo Rho，Kyunghoon Lee等，在Nature Electronics上发文，报道展示了可逆的激光辅助氯化过程，可用于在石墨烯单层中，产生高掺杂浓度（高于3×1013cm-2），且迁移率下降最小。该方法使用两个激光器，具有不同的光子能量和几何配置，设计用于氯化和随后的氯去除，允许在不损坏石墨烯的情况下，写入和擦除高度掺杂的图案。基于石墨烯的光电探测器创建，证明了可重写光活性结rewritable photoactive junctions 。
在石墨烯中，可逆写入掺杂图案的激光辅助氯化工艺
图1：通过氯激光辅助表面功能化的示意图，以及高掺杂浓度和高迁移率。
图2：氯化过程的非侵入和可饱和特性。
图3：连续绿激光可逆除氯过程。
图4：使用氯化和局部除氯工艺的可重写光敏结演示。
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