“半导体产业在全国乃至全球都是十分关键的产业，电子信息产业离不开半导体芯片，离不开集成电路，要推动电子信息产业发展，必须推动半导体产业发展。”中国科学院院士郝跃说。

此次参加宽禁带半导体材料技术成果鉴定会，郝跃院士也为黑龙江在半导体领域的发展带来了诸多建议。他说，半导体产业有诸多细分领域，包括半导体材料、半导体设备、芯片工艺、封装测试、可靠性应用等，黑龙江在一些细分领域可以发挥突出优势。

郝跃

首先在半导体材料方面，郝跃认为，黑龙江拥有包括哈尔滨工业大学在内的一批高等院校和科研机构，具备充分的人才优势，在材料领域成果显著，因此可以围绕半导体材料，尤其是在宽禁带半导体、生物信息器件材料上下功夫，从而实现人才链、资金链、技术链、产业链的融通。

在特种半导体器件方面黑龙江也大有可为。郝跃谈道，黑龙江在探测器件、传感器件发展上有很好的基础和优势，也正是目前还有很大发展空间的领域。同时，黑龙江要区别于其他省份，走差异化道路，发展宽禁带半导体材料，用优势不断推进半导体产业发展，形成产业规模，直至形成产业集群。

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司研发的8英寸碳化硅材料在成果鉴定会上被认定为“国内领先、国际先进”，对此，郝跃谈到，碳化硅是目前发展比较成熟的第三代半导体材料，目前科友半导体在装备、材料等方面都有了较好的基础，尤其是8英寸碳化硅材料在国际上是很具有竞争力的，相信通过企业再聚集一些相关企业形成集群，那么黑龙江将在第三代半导体和宽禁带半导体材料方面有更大提升，希望可以成为国家宽禁带半导体产业材料方面的产业化基地，全面提升黑龙江半导体产业的综合竞争力，以及产品在国内、国际的影响力。

新闻链接：第三代半导体材料主要包括SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）、金刚石等，因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特，又被称为“宽禁带半导体材料”。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域最有应用前景的材料，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减少75%以上。

来源：龙头新闻